FDA38N30, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В

Код товара: 197156

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FDA38N30
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 300V TO-3
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
30 шт
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение исток-сток макс.:
300В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
312Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

300В

Ток стока макс.

38A

Сопротивление открытого канала

85 мОм

Мощность макс.

312Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

60нКл

Входная емкость

2600пФ

Тип монтажа

Through Hole

Корпус

TO-3P(N)

Вес брутто

7.4 г.

Описание FDA38N30

The FDA38N30 is an UniFET™ N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's high voltage planar stripe and DMOS technology. It is tailored to reduce ON-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. It is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.

• 60nC Typical low gate charge
• 60pF Typical low Crss
• 100% Avalanche tested
• ESD Improved capability

Maximum Operating Temperature+150 °C
Number of Elements per Chip1
Length16.2мм
BrandON Semiconductor
Package TypeTO-3P
Maximum Power Dissipation312 W
Mounting TypeМонтаж на плату в отверстия
Minimum Operating Temperature-55 °C
Width5мм
Высота18.9мм
Pin Count3
Dimensions16.2 x 5 x 18.9mm
Вес, г6.5

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка FDA38N30 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.