BSM75GB120DN2, Биполярный транзистор IGBT, 625Вт
Код товара: 184838
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
BSM75GB120DN2
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Module N-CH 1200V 105A 625000mW 7-Pin 34MM-1 Tray
Тип упаковки:
Bulk (россыпь)
Нормоупаковка:
10 шт
Корпус:
AG-34MM
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
105А
Максимальная мощность:
625 Вт
Цена от:
8 608,98 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 2+ 3+ 4+ 5+8 936,34 ₽ 8 876,82 ₽ 8 806,38 ₽ 8 720,22 ₽ 8 608,98 ₽Срок:В наличииНаличие:7Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
1+ 2+ 8+15 991,02 ₽ 15 042,42 ₽ 14 771,40 ₽Срок:7 днейНаличие:9Минимум:Мин: 1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание BSM75GB120DN2
| Вес, г | 250 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка BSM75GB120DN2 , Биполярный транзистор IGBT, 625Вт
в город Калининград
Boxberry
от 15 раб. дней
от 686 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 325 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2224 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 5 раб. дней
от 747 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара