BSM75GB120DN2, Биполярный транзистор IGBT, 625Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
BSM75GB120DN2
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Module N-CH 1200V 105A 625000mW 7-Pin 34MM-1 Tray
Тип упаковки:
Bulk (россыпь)
Нормоупаковка:
10 шт
Корпус:
AG-34MM
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
105А
Максимальная мощность:
625 Вт
Цена от:
7 230,12 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 2+ 3+ 4+ 5+8 373,20 ₽ 7 981,75 ₽ 7 671,04 ₽ 7 417,97 ₽ 7 230,12 ₽Срок:В наличииНаличие:5Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
2+ 6+11 790,48 ₽ 11 091,04 ₽Срок:7 днейНаличие:6Минимум:Мин: 2Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание BSM75GB120DN2
| Вес, г | 250 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка BSM75GB120DN2 , Биполярный транзистор IGBT, 625Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара