AUIRL3705ZS, Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А
Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А
Артикул:
AUIRL3705ZS
Производитель:
Документы:
Технические параметры
-
КорпусD2PAK/TO263
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка50 шт.
-
Вес брутто1.2 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание AUIRL3705ZS
Automotive N-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon's comprehensive portfolio of AECQ-101 Automotive-qualified single die N-channel devices addresses a wide variety of power requirements in many applications. This range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 86 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.008 ом при 52a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 130 |
| Корпус | d2pak |
| Особенности | Автомобильные Приложения |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…3 |
| Вес, г | 2.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара