2N7002ET1G, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 260мА, 0.3Вт

Код товара: 162139

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
2N7002ET1G
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
260мА
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом
Мощность макс.:
300мВт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

60В

Ток стока макс.

260мА

Сопротивление открытого канала

2.5 Ом

Мощность макс.

300мВт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

2.5В

Заряд затвора

0.81нКл

Входная емкость

26.7пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

SOT-23

Вес брутто

0.03 г.

Описание 2N7002ET1G

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 260мА, 0.3Вт

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

2N7002E-T1-E3 Полный аналог Транзистор полевой N-канальный 60В 240мА Производитель: Vishay
Акция 2N7002E-T1-GE3 Полный аналог Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.24A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Vishay
Акция 2N7002E-7-F Полный аналог Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 250мА Производитель: Diodes Incorporated
2N7002H6327 Полный аналог Транзистор полевой N-канальный 60В 0.3A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Infineon Technologies

Способы доставки в Калининград

Доставка 2N7002ET1G , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 260мА, 0.3Вт в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.