STGW80H65DFB, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 469Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STGW80H65DFB
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Chip N-CH 650V 120A
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
30 шт
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
120 А
Импульсный ток коллектора макс.:
240 А
Макс. рассеиваемая мощность:
469 Вт
Переключаемая энергия:
2.1 мДж
Цена от:
382,54 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 5+ 10+ 19+ 30+470,79 ₽ 440,58 ₽ 416,59 ₽ 397,05 ₽ 382,54 ₽Срок:В наличииНаличие:89Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
12+ 17+ 33+780,10 ₽ 672,70 ₽ 655,74 ₽Срок:25 днейНаличие:150Минимум:Мин: 12Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание STGW80H65DFB
Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 469Вт
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STGW80H65DFB , Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 469Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара