STGW80H65DFB, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 469Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STGW80H65DFB
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Chip N-CH 650V 120A
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
30 шт
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
120 А
Импульсный ток коллектора макс.:
240 А
Макс. рассеиваемая мощность:
469 Вт
Переключаемая энергия:
2.1 мДж
Цена от:
422,78 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 5+ 10+ 19+ 30+520,12 ₽ 486,80 ₽ 460,34 ₽ 438,79 ₽ 422,78 ₽Срок:В наличииНаличие:59Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
11+ 15+ 30+ 147+895,80 ₽ 772,47 ₽ 753,00 ₽ 733,52 ₽Срок:25 днейНаличие:150Минимум:Мин: 11Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание STGW80H65DFB
Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 469Вт
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STGW80H65DFB , Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 469Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара