STGW80H65DFB, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 469Вт
Код товара: 158989
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STGW80H65DFB
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Chip N-CH 650V 120A
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
30 шт
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
120 А
Импульсный ток коллектора макс.:
240 А
Макс. рассеиваемая мощность:
469 Вт
Переключаемая энергия:
2.1 мДж
Цена от:
426,18 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 5+ 9+ 18+ 30+523,26 ₽ 490,02 ₽ 463,62 ₽ 442,14 ₽ 426,18 ₽Срок:В наличииНаличие:60Минимум:1Количество в заказ
Количество: 0 шт.
Стоимость: 0,00 ₽
Технические параметры
Описание STGW80H65DFB
Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 469Вт
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка STGW80H65DFB , Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 469Вт
в город Калининград
Boxberry
от 15 раб. дней
от 663 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 304 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2583 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 747 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара