STGW80H65DFB, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 469Вт
Код товара: 158989
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STGW80H65DFB
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Chip N-CH 650V 120A
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
30 шт
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
120 А
Импульсный ток коллектора макс.:
240 А
Макс. рассеиваемая мощность:
469 Вт
Переключаемая энергия:
2.1 мДж
Цена от:
437,18 руб.
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 5+ 9+ 18+ 30+536,68 ₽ 502,61 ₽ 475,57 ₽ 453,54 ₽ 437,18 ₽Срок:В наличииНаличие:35Минимум:1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание STGW80H65DFB
Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 469Вт
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
STGW80H65DFB.pdfСпособы доставки в Калининград
Доставка STGW80H65DFB , Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 469Вт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 769 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 708 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара