IKW15N120H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт

Код товара: 154487

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IKW15N120H3FKSA1
Производитель:
Описание Eng:
IGBT 1200V 30A 217W
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
30 шт
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
217 Вт
Переключаемая энергия:
1.55 мДж

Технические параметры

Макс. напр. коллектор-эмиттер

1200 В

Макс. ток коллектора

30 А

Импульсный ток коллектора макс.

60 А

Макс. рассеиваемая мощность

217 Вт

Переключаемая энергия

1.55 мДж

Корпус

PG-TO-247-3

Вес брутто

8.37 г.

Описание IKW15N120H3FKSA1

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

Технология/семействоtrench and fieldstop
Наличие встроенного диодада
Максимальное напряжение КЭ ,В1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A30
Импульсный ток коллектора (Icm), А60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт217
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс21
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс260
Рабочая температура (Tj), °C-40…+175
Корпусpg-to247-3
Вес, г7.5

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка IKW15N120H3FKSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 769
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 708
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.