IKW15N120H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт
Код товара: 154487
Цена от:
329,77 руб.
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 6+ 12+ 30+ 60+409,35 ₽ 382,10 ₽ 360,47 ₽ 342,85 ₽ 329,77 ₽Срок:В наличииНаличие:14Минимум:1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IKW15N120H3FKSA1
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
Технология/семейство | trench and fieldstop |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 30 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 60 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.4 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 217 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 21 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 260 |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
Корпус | pg-to247-3 |
Вес, г | 7.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка IKW15N120H3FKSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 769 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 708 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара