IKW15N120H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт
Код товара: 154487
Цена от:
351,31 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 12+ 23+ 60+ 90+427,17 ₽ 400,42 ₽ 380,71 ₽ 365,06 ₽ 351,31 ₽Срок:В наличииНаличие:393Минимум:1Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 12+ 23+ 60+ 90+427,17 ₽ 400,42 ₽ 380,71 ₽ 365,06 ₽ 351,31 ₽Срок:В наличииНаличие:14Минимум:1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IKW15N120H3FKSA1
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
Технология/семейство | trench and fieldstop |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 30 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 60 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.4 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 217 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 21 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 260 |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
Корпус | pg-to247-3 |
Вес, г | 7.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка IKW15N120H3FKSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара