B82477G4105M000, Катушка индуктивности SMD экранированная 1000мкГн ±20%, 0.55A, 1.68Ом
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
84,90 руб.
-
1+ 12+ 23+ 46+ 91+92,05 ₽ 90,88 ₽ 89,43 ₽ 87,54 ₽ 84,90 ₽Срок:В наличииНаличие:1 453Минимум:4Количество в заказ
-
9+ 41+ 81+ 162+ 2000+133,62 ₽ 127,26 ₽ 125,14 ₽ 117,72 ₽ 115,59 ₽Срок:7 днейНаличие:2 000Минимум:Мин: 9Количество в заказ
Технические параметры
Описание B82477G4105M000
Cерия B82477, обладает высочайшей надежностью и электромагнитными характеристиками.
Индуктивности данной серии имеют показатель тока насыщения на 30% превышающий аналогичный показатель у стандартных серий.
Значение силы тока варьируется от 1,05 до 38 ампер при индуктивности 0,82 до 1000 мкГн.
Широкий диапазон рабочих температур (от -55 до 150°С) удовлетворяет строжайшим требованиям автомобильного стандарта качества AEC-Q200 и суровым климатическим условиям России.
Сконструированный на подложке, данный тип индуктивностей удовлетворяет самым строгим требованиям по механической стабильности.
Габариты данной серии составляют 12,5*12,5 мм при максимальной высоте 8,5 мм. В связи с наличием магнитного экрана, индуктивность может быть расположена в непосредственной близости от других компонентов на печатной плате. Благодаря низкому сопротивлению и высокому току насыщения серия B82477 может успешно конкурировать не только с продукцией аналогичного класса, но и с выводными индуктивностями высотой до 15мм.
Основные области применения:
• Автоэлектроника
• Светодиодное освещение
• Источники питания с высокими требованиями по надежности и диапазону рабочих температур.
| Серия | b82477g |
| Номинальная индуктивность, мкГн | 1000 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 20 |
| Активное сопротивление,Ом | 1.68 |
| Рабочая температура,С | -55…125 |
| Способ монтажа | smd |
| Длина корпуса,мм | 12.8 |
| Диаметр (ширина)корпуса,мм | 12.8 |
| Максимальный постоянный ток,мА | 550 |
| Вес, г | 4.2 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Аналоги и возможные замены
SDRH1207-102M-0.48A Полный аналог
Силовая SMD индуктивность экранированная 1000мкГн ±20% 0.48A 1.68Ом