IRF8313PBF, Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 30 В, 2W
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET
Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 30 В, 2W
Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 30 В, 2W
Артикул:
IRF8313PBF
Производитель:
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSO-8
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка95 шт
-
Вес брутто0.2 г.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Маскимальный ток стока
-
Максимальная рассеиваемая мощность
Описание IRF8313PBF
| Структура | 2n-канала |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0155 ом при 9.7a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 23 |
| Корпус | so8 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.35…2.35 |
| Вес, г | 0.15 |
Полные аналоги
-
IRF8313TRPBF MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOICНаличие:6091 штМинимум:штЦена от:41,37 ₽INFSOIC8
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара