IRF7316TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 4.9 А, 2Вт
Код товара: 152428
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IRF7316TRPBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
4000 шт
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток:
30 В
Маскимальный ток стока:
4.9 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
2 Вт
Цена от:
38,68 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 179+ 358+ 716+ 1432+49,61 ₽ 45,63 ₽ 42,55 ₽ 40,48 ₽ 38,68 ₽Срок:В наличииНаличие:10 350Минимум:7Количество в заказ
-
1+ 179+ 358+ 716+ 1432+49,61 ₽ 45,63 ₽ 42,55 ₽ 40,48 ₽ 38,68 ₽Срок:В наличииНаличие:12 047Минимум:7Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 179+ 358+ 716+ 1432+49,61 ₽ 45,63 ₽ 42,55 ₽ 40,48 ₽ 38,68 ₽Срок:В наличииНаличие:40Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
154+ 258+ 513+50,57 ₽ 49,73 ₽ 46,78 ₽Срок:6 днейНаличие:1 750Минимум:Мин: 154Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IRF7316TRPBF
P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 4.9 A |
| Тип корпуса | SOIC |
| Максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 4мм |
| Высота | 1.5мм |
| Размеры | 5 x 4 x 1.5мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Длина | 5мм |
| Transistor Configuration | Изолированный |
| Типичное время задержки включения | 13 ns |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 34 нс |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 98 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
| Число контактов | 8 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 710 pF @ 25 V |
| Тип канала | A, P, WRU |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 0.15 |
Полезная информация
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
irf7316pbf.pdfАналоги и возможные замены
IRF7104TRPBF Функциональный аналог
Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 2.3 А, 2 Вт
Наличие:
37 804 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 40,07₽
Наличие:
24 957 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 6,89₽
Акция
![]()
IRF7104PBF Функциональный аналог
Сборка из полевых транзисторов, P-канальный, 20 В,2.3 А, 2 Вт, 0.25 Ом
IRF7104PBF Функциональный аналог
Сборка из полевых транзисторов, P-канальный, 20 В,2.3 А, 2 Вт, 0.25 Ом
Акция
![]()
IRF7316PBF Полный аналог
Сборка из полевых транзисторов, P-канальный, 30 В, 4.9 А, 2 Вт, 0.058 Ом
IRF7316PBF Полный аналог
Сборка из полевых транзисторов, P-канальный, 30 В, 4.9 А, 2 Вт, 0.058 Ом
Способы доставки в Калининград
Доставка IRF7316TRPBF , Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 4.9 А, 2Вт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара