IRF7316TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 4.9 А, 2Вт

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC

Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 4.9 А, 2Вт

irf7316pbf pdf, 191,8 кБ

Код товара: 152428

Дата обновления: 18.07.2024 00:10

Цена от: 40,00 руб.

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка IRF7316TRPBF , Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 4.9 А, 2Вт в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 12 раб. дней

от 833 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

SO-8
Тип упаковки

Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка

4000 шт
Вес брутто

0.22 г.
Тип транзистора

2P-канальный
Особенности

Логическое управление
Максимальное напряжение сток-исток

30 В
Маскимальный ток стока

4.9 А
Максимальная рассеиваемая мощность

2 Вт

Полезная информация

MOSFET ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА

Описание IRF7316TRPBF

P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока	4.9 A
Тип корпуса	SOIC
Максимальное рассеяние мощности	2 Вт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Ширина	4мм
Высота	1.5мм
Размеры	5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	2
Длина	5мм
Transistor Configuration	Изолированный
Типичное время задержки включения	13 ns
Производитель	Infineon
Типичное время задержки выключения	34 нс
Серия	HEXFET
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage	1V
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Максимальное сопротивление сток-исток	98 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток	30 V
Число контактов	8
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	23 nC @ 10 V
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	710 pF @ 25 V
Тип канала	A, P, WRU
Максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
Вес, г	0.15

Полные аналоги

Наименование

Наличие

Цена от

Производитель

Корпус
IRF7316PBF MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC Tube

Сообщить о поступлении

INF

SO-8

Функциональные аналоги

Наименование

Наличие

Цена от

Производитель

Корпус
SK4953 MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

Наличие:
28963 шт
По складам

Минимум:
шт

Цена от:
8,07 ₽

SHIKUES

SOIC8
IRF7104TRPBF MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

Наличие:
2591 шт
По складам

Минимум:
шт

Цена от:
43,05 ₽

INF

SOIC8
IRF7104PBF MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC Tube

Сообщить о поступлении

INF

SO-8

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← IRF7351PBF IRF7301PBF →