IRF630NSTRLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.3А 82Вт
Код товара: 150372
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IRF630NSTRLPBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9.3A
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
82Вт
Тип транзистора:
N-канал
Цена от:
85,35 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 19+ 37+ 74+ 147+111,30 ₽ 102,42 ₽ 95,37 ₽ 89,62 ₽ 85,35 ₽Срок:В наличииНаличие:500Минимум:3Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 19+ 37+ 74+ 147+111,30 ₽ 102,42 ₽ 95,37 ₽ 89,62 ₽ 85,35 ₽Срок:В наличииНаличие:7Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
54+ 108+ 539+238,65 ₽ 220,75 ₽ 216,77 ₽Срок:7 днейНаличие:1 000Минимум:Мин: 54Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IRF630NSTRLPBF
N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Length | 10.67mm |
| Transistor Configuration | Single |
| Brand | Infineon |
| Maximum Continuous Drain Current | 9.3 A |
| Package Type | D2PAK (TO-263) |
| Maximum Power Dissipation | 82 W |
| Series | HEXFET |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Width | 11.3mm |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Height | 4.83mm |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 300 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Pin Count | 3 |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Transistor Material | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |
| Вес, г | 2.5 |
Полезная информация
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
irf630npbf.pdfАналоги и возможные замены
IRF630NSPBF Полный аналог
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.3А 3.1Вт, 0.3 Ом
Способы доставки в Калининград
Доставка IRF630NSTRLPBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.3А 82Вт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 900 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 797 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2524 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара