STP11NM60ND, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10А 90Вт
Код товара: 150145
- ВКонтакте
- Telegram
- РЎРєРѕРїРСвЂВВВВВВВВровать ссылку
Цена от:
159,24 руб.
Внешние склады
-
53+ 63+ 126+ 632+ 4800+178,56 ₽ 175,56 ₽ 165,18 ₽ 162,18 ₽ 159,24 ₽Срок:29 днейНаличие:4 800Минимум:Мин: 53Количество в заказ
Количество: 0 шт.
Стоимость: 0,00 ₽
Технические параметры
Описание STP11NM60ND
The STP11NM60ND is a FDmesh™ II N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This FDmesh™ II Power MOSFET belongs to the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company's strip layout and associates all advantages of reduced ON-resistance and fast switching with an intrinsic fast recovery body diode. It is therefore strongly recommended for bridge topologies, in particular ZVS phase-shift converters.
• The worldwide best RDS (ON) area amongst the fast recovery diode device
• Low gate input resistance
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±25 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.45 ом при 5a, 10в |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
Крутизна характеристики, S | 7.5 |
Корпус | to220ab |
Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
Вес, г | 2.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка STP11NM60ND , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10А 90Вт
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 288 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2224 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
Почта России
от 12 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 6 раб. дней
от 743 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара