STP11NK50Z, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 10А 115Вт

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

N-Channel 500V - 0.48 Ohm - 10A Zener-Protected

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 10А 115Вт
Код товара: 150144
Дата обновления: 01.07.2024 00:10
Цена от: 110,04 руб.
Доставка STP11NK50Z , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 10А 115Вт в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

  • Корпус
    TO-220
  • Тип упаковки
    Tube (туба)
  • Нормоупаковка
    50 шт
  • Вес брутто
    2.82 г.
  • Напряжение исток-сток макс.
  • Ток стока макс.
    10A
  • Сопротивление открытого канала
  • Мощность макс.
  • Тип транзистора
  • Пороговое напряжение включения макс.
  • Заряд затвора
  • Входная емкость
  • Тип монтажа

Описание STP11NK50Z

The STP11NK50Z is a SuperMESH™ N-channel Zener-protected Power MOSFET obtained through an extreme optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications.

• Extremely high dV/dt capability
• 100% Avalanche tested
• Gate charge minimized
• Very low intrinsic capacitances
• -55 to 150°C Operating junction temperature range

Структураn-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А10
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.52 ом при 4.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт125
Крутизна характеристики, S7.7
Корпусto220ab
Вес, г2.5