STP11NK50Z, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 10А 115Вт
Код товара: 150144
Цена от:
114,84 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 15+ 29+ 50+ 150+147,90 ₽ 136,59 ₽ 127,60 ₽ 120,28 ₽ 114,84 ₽Срок:В наличииНаличие:148Минимум:3Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 15+ 29+ 50+ 150+147,90 ₽ 136,59 ₽ 127,60 ₽ 120,28 ₽ 114,84 ₽Срок:В наличииНаличие:33Минимум:1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание STP11NK50Z
The STP11NK50Z is a SuperMESH™ N-channel Zener-protected Power MOSFET obtained through an extreme optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications.
• Extremely high dV/dt capability
• 100% Avalanche tested
• Gate charge minimized
• Very low intrinsic capacitances
• -55 to 150°C Operating junction temperature range
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.52 ом при 4.5a, 10в |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
Крутизна характеристики, S | 7.7 |
Корпус | to220ab |
Вес, г | 2.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка STP11NK50Z , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 10А 115Вт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара