FQPF8N80C, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8А 59Вт
Код товара: 148818
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
123,91 руб.
Технические параметры
Описание FQPF8N80C
The FQPF8N80C is a 800V N-channel QFET® enhancement mode Power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is well suited for high efficient switched mode power supplies, active power factor correction and electronic lamp ballast based on half bridge topology. This product is general usage and suitable for many different applications.
• Low gate charge
• 100% Avalanche tested
• Improved system reliability in PFC and soft switching topologies
• Switching loss improvements
• Lower conduction loss
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 8 A |
| Тип корпуса | TO-220F |
| Максимальное рассеяние мощности | 59 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 4.7 |
| Высота | 9.19мм |
| Размеры | 10.16 x 4.7 x 9.19мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 10.16мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 40 нс |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Типичное время задержки выключения | 65 нс |
| Серия | QFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 1.55 Ω |
| Максимальное напряжение сток-исток | 800 В |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 1580 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 V, +30 V |
| Вес, г | 2 |
FQPF8N80C.pdf