BSM25GD120DN2E3224BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 35 А, 1200 В, N-канальный

Код товара: 147552

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
BSM25GD120DN2E3224BOSA1
Производитель:
Описание Eng:
35 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
Нормоупаковка:
10 шт.
Корпус:
34 mm
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
35А

Технические параметры

Напряжение коллектор-эмиттер

1200В

Ток коллектора

35А

Вес брутто

180 г.

Описание BSM25GD120DN2E3224BOSA1

Биполярный транзистор IGBT, 35 А, 1200 В, N-канальный

Способы доставки в Калининград

Доставка BSM25GD120DN2E3224BOSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 35 А, 1200 В, N-канальный в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.