IKW25N120T2FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 349 Вт

Код товара: 146520

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IKW25N120T2FKSA1
Производитель:
Описание Eng:
IGBT 1200V 50A 349W
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
30 шт
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
100 А
Макс. рассеиваемая мощность:
349 Вт
Переключаемая энергия:
2.9 мДж

Технические параметры

Макс. напр. коллектор-эмиттер

1200 В

Макс. ток коллектора

50 А

Импульсный ток коллектора макс.

100 А

Макс. рассеиваемая мощность

349 Вт

Переключаемая энергия

2.9 мДж

Корпус

PG-TO-247-3

Вес брутто

8.3 г.

Описание IKW25N120T2FKSA1

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

Максимальная рабочая температура+175 °C
Длина16.13мм
Transistor ConfigurationОдинарный
ПроизводительInfineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора50 A
Тип корпусаTO-247
Максимальное рассеяние мощности349 Вт
Energy Rating4.3mJ
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура-40 °C
Ширина5.21мм
Высота21.1мм
Число контактов3
Размеры16.13 x 5.21 x 21.1мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер±20V
Тип каналаN
Емкость затвора1600пФ
Вес, г7.5

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка IKW25N120T2FKSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 349 Вт в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 769
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 708
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.