IKW25N120T2FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 349 Вт
Цена от:
227,68 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 14+ 30+ 60+ 120+280,80 ₽ 262,07 ₽ 248,27 ₽ 237,31 ₽ 227,68 ₽Срок:В наличииНаличие:947Минимум:2Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 14+ 30+ 60+ 120+280,80 ₽ 262,07 ₽ 248,27 ₽ 237,31 ₽ 227,68 ₽Срок:В наличииНаличие:28Минимум:1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IKW25N120T2FKSA1
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Длина | 16.13мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | Infineon |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 1200 В |
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 50 A |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Максимальное рассеяние мощности | 349 Вт |
| Energy Rating | 4.3mJ |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Минимальная рабочая температура | -40 °C |
| Ширина | 5.21мм |
| Высота | 21.1мм |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 16.13 x 5.21 x 21.1мм |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
| Тип канала | N |
| Емкость затвора | 1600пФ |
| Вес, г | 7.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IKW25N120T2FKSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 349 Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 259 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 1154 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 387 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 219 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара