IKW25N120T2FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 349 Вт
Код товара: 146520
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IKW25N120T2FKSA1
Производитель:
Описание Eng:
IGBT 1200V 50A 349W
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
30 шт
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
100 А
Макс. рассеиваемая мощность:
349 Вт
Переключаемая энергия:
2.9 мДж
Цена от:
242,31 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание IKW25N120T2FKSA1
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Длина | 16.13мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | Infineon |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 1200 В |
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 50 A |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Максимальное рассеяние мощности | 349 Вт |
| Energy Rating | 4.3mJ |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Минимальная рабочая температура | -40 °C |
| Ширина | 5.21мм |
| Высота | 21.1мм |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 16.13 x 5.21 x 21.1мм |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
| Тип канала | N |
| Емкость затвора | 1600пФ |
| Вес, г | 7.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
IKW25N120T2.pdfСпособы доставки в Калининград
Доставка IKW25N120T2FKSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 349 Вт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара