IGW60T120FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 375 Вт

Код товара: 146215

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IGW60T120FKSA1
Производитель:
Описание Eng:
IGBT 1200V 100A 375W TO247-3
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
30 шт
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
100 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
375 Вт
Переключаемая энергия:
9.5 мДж

Технические параметры

Макс. напр. коллектор-эмиттер

1200 В

Макс. ток коллектора

100 А

Импульсный ток коллектора макс.

150 А

Макс. рассеиваемая мощность

375 Вт

Переключаемая энергия

9.5 мДж

Корпус

PG-TO-247-3

Вес брутто

8 г.

Описание IGW60T120FKSA1

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

Технология/семействоtrench and fieldstop
Наличие встроенного диоданет
Максимальное напряжение КЭ ,В1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A100
Импульсный ток коллектора (Icm), А150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт375
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс480
Рабочая температура (Tj), °C-40…+150
Корпусpg-to-247-3
Вес, г7.5

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка IGW60T120FKSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 375 Вт в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 802
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 706
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2299
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.