IGW60T120FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 375 Вт
Код товара: 146215
Цена от:
703,99 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 7+ 13+ 30+ 60+840,53 ₽ 792,39 ₽ 756,91 ₽ 728,75 ₽ 703,99 ₽Срок:В наличииНаличие:226Минимум:1Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 7+ 13+ 30+ 60+840,53 ₽ 792,39 ₽ 756,91 ₽ 728,75 ₽ 703,99 ₽Срок:В наличииНаличие:13Минимум:1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IGW60T120FKSA1
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
Технология/семейство | trench and fieldstop |
Наличие встроенного диода | нет |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 100 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 150 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.4 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 375 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 50 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 480 |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+150 |
Корпус | pg-to-247-3 |
Вес, г | 7.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка IGW60T120FKSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 375 Вт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 802 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 706 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2299 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара