IRGP30B120KD-EP, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 60 А, 300 Вт
Код товара: 146201
Цена от:
7 738,58 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание IRGP30B120KD-EP
Co-Pack IGBT over 21A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
Технология/семейство | npt |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 60 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 120 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 4 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 300 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 50 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 210 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
Корпус | TO-247AD |
Структура | npn |
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 1200 |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 1200 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 30 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 40 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 300 |
Корпус | to247ad |
Структура | n-канал+диод |
Управляющее напряжение,В | 5 |
Крутизна характеристики, S | 16.9 |
Вес, г | 7.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка IRGP30B120KD-EP , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 60 А, 300 Вт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара