FDS4559, Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 60 В, 3.5 А, 0.105 Ом, 2Вт
Код товара: 145895
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
45,97 руб.
Технические параметры
Описание FDS4559
PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
| Структура | n/p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60/-60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.5/-3.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.055 ом при 4.5a, 10в/0.105 ом при-3.5a, -10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 14/9 |
| Корпус | so8 |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Пороговое напряжение на затворе | ±1…3 |
| Вес, г | 0.15 |
FDS4559.pdf