FQT4N20LTF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.85А 1.35 Ом
Код товара: 145893
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FQT4N20LTF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
4000 шт
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
850мА
Сопротивление открытого канала:
1.35 Ом
Мощность макс.:
2.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Цена от:
33,41 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание FQT4N20LTF
The FQT4N20LTF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
• Low level gate drive requirements allowing direct operation from logic drives
• 100% Avalanche tested
• 4nC Typical low gate charge
• 6pF Typical low Crss
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 850 мА |
| Тип корпуса | SOT-223 |
| Максимальное рассеяние мощности | 2,2 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 3.56мм |
| Высота | 1.6мм |
| Размеры | 6.5 x 3.56 x 1.6мм |
| Материал транзистора | SI |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 6.5мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 7 нс |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Типичное время задержки выключения | 15 нс |
| Серия | QFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 1,35 Ом |
| Максимальное напряжение сток-исток | 200 V |
| Число контактов | 3+Tab |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 4 nC @ 5 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 240 пФ при -25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 0.39 |
Полезная информация
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
FQT4N20L.pdfСпособы доставки в Калининград
Доставка FQT4N20LTF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.85А 1.35 Ом
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара