FQT4N20LTF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.85А 1.35 Ом

Код товара: 145893

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FQT4N20LTF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
4000 шт
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
850мА
Сопротивление открытого канала:
1.35 Ом
Мощность макс.:
2.2Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

200В

Ток стока макс.

850мА

Сопротивление открытого канала

1.35 Ом

Мощность макс.

2.2Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

5.2нКл

Входная емкость

310пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

SOT-223

Вес брутто

0.21 г.

Описание FQT4N20LTF

The FQT4N20LTF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.

• Low level gate drive requirements allowing direct operation from logic drives
• 100% Avalanche tested
• 4nC Typical low gate charge
• 6pF Typical low Crss

Максимальная рабочая температура+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока850 мА
Тип корпусаSOT-223
Максимальное рассеяние мощности2,2 Вт
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Ширина3.56мм
Высота1.6мм
Размеры6.5 x 3.56 x 1.6мм
Материал транзистораSI
Количество элементов на ИС1
Длина6.5мм
Transistor ConfigurationОдинарный
Типичное время задержки включения7 нс
ПроизводительON Semiconductor
Типичное время задержки выключения15 нс
СерияQFET
Минимальная рабочая температура-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Максимальное сопротивление сток-исток1,35 Ом
Максимальное напряжение сток-исток200 V
Число контактов3+Tab
КатегорияМощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs4 nC @ 5 V
Номер каналаПоднятие
Типичная входная емкость при Vds240 пФ при -25 В
Тип каналаN
Максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
Вес, г0.39

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка FQT4N20LTF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.85А 1.35 Ом в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 706
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.