FDN306P, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2,6А 0.04 Ом, 0.5Вт
Цена от:
11,01 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 74+ 147+ 294+ 587+15,56 ₽ 15,11 ₽ 14,49 ₽ 13,68 ₽ 12,73 ₽Срок:В наличииНаличие:848Минимум:20Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 74+ 147+ 294+ 587+15,56 ₽ 15,11 ₽ 14,49 ₽ 13,68 ₽ 12,73 ₽Срок:В наличииНаличие:27Минимум:4Количество в заказ
Внешние склады
-
678+ 983+ 1966+13,09 ₽ 11,29 ₽ 11,01 ₽Срок:25 днейНаличие:9 000Минимум:Мин: 678Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание FDN306P
MOSFET, P, SMD, SSOT-3; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: P; Voltage, Vds Typ: -12V; Current, Id Cont: -2.6A; Resistance, Rds On: 40mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: -4.5V; Voltage, Vgs th Typ: -0.6V; Case Style: SuperSOT-3; Termination Type: SMD
Корпус TO236
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -12 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -2.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.04 ом при-2.6a, -4.5в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Крутизна характеристики, S | 10 |
| Корпус | supersot3 |
| Особенности | мобильные приложения |
| Пороговое напряжение на затворе | -0.4…-1.5 |
| Вес, г | 0.041 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FDN306P , Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2,6А 0.04 Ом, 0.5Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2175 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара