FDN358P, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.5А 0.5Вт, 0.06 Ом
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FDN358P
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SuperSOT T/R
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Цена от:
19,31 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 68+ 135+ 269+ 537+27,75 ₽ 24,88 ₽ 22,60 ₽ 20,73 ₽ 19,31 ₽Срок:В наличииНаличие:1 500Минимум:11Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 68+ 135+ 269+ 537+27,75 ₽ 24,88 ₽ 22,60 ₽ 20,73 ₽ 19,31 ₽Срок:В наличииНаличие:103Минимум:2Количество в заказ
Внешние склады
-
23+ 110+ 220+ 700+52,18 ₽ 49,69 ₽ 48,86 ₽ 45,97 ₽Срок:7 днейНаличие:700Минимум:Мин: 23Количество в заказ
-
27+52,98 ₽Срок:7 днейНаличие:50Минимум:Мин: 27Количество в заказ
-
377+ 546+ 1095+23,05 ₽ 19,88 ₽ 19,38 ₽Срок:25 днейНаличие:3 000Минимум:Мин: 377Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание FDN358P
The FDN358P is a P-channel Logic Level MOSFET produced using Fairchild Semiconductor advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It comes with high power version of industry standard SOT-23 package. Identical pin-out to SOT-23 with 30% higher power handling capability. It is well suited for load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion application.
• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• 4nC Typical low gate charge
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 1,5 А |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Максимальное рассеяние мощности | 500 мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 1.4мм |
| Высота | 0.94мм |
| Размеры | 2.92 x 1.4 x 0.94мм |
| Материал транзистора | SI |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 2.92мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 5 нс |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Типичное время задержки выключения | 12 нс |
| Серия | PowerTrench |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 125 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 4 нКл при 10 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 182 пФ при 15 В |
| Тип канала | P |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 0.05 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FDN358P , Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.5А 0.5Вт, 0.06 Ом
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара