FDN358P, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.5А 0.5Вт, 0.06 Ом

Код товара: 145799

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FDN358P
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SuperSOT T/R
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

30В

Ток стока макс.

1.5A

Сопротивление открытого канала

125 мОм

Мощность макс.

460мВт

Тип транзистора

P-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

5.6нКл

Входная емкость

182пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

SOT-23 (SuperSOT-3)

Вес брутто

0.03 г.

Описание FDN358P

The FDN358P is a P-channel Logic Level MOSFET produced using Fairchild Semiconductor advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It comes with high power version of industry standard SOT-23 package. Identical pin-out to SOT-23 with 30% higher power handling capability. It is well suited for load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion application.

• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• 4nC Typical low gate charge

Максимальная рабочая температура+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока1,5 А
Тип корпусаSOT-23
Максимальное рассеяние мощности500 мВт
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Ширина1.4мм
Высота0.94мм
Размеры2.92 x 1.4 x 0.94мм
Материал транзистораSI
Количество элементов на ИС1
Длина2.92мм
Transistor ConfigurationОдинарный
Типичное время задержки включения5 нс
ПроизводительON Semiconductor
Типичное время задержки выключения12 нс
СерияPowerTrench
Минимальная рабочая температура-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Максимальное сопротивление сток-исток125 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток30 V
Число контактов3
КатегорияМощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs4 нКл при 10 В
Номер каналаПоднятие
Типичная входная емкость при Vds182 пФ при 15 В
Тип каналаP
Максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
Вес, г0.05

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка FDN358P , Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.5А 0.5Вт, 0.06 Ом в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.