FDN337N, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2,2А 0.054 Ом, 0.5Вт
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2,2А 0.054 Ом, 0.5Вт
Технические параметры
-
КорпусSOT-23 (SuperSOT-3)
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка3000 шт
-
Вес брутто0.12 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание FDN337N
FDN337N является N-канальным полевым транзистором уровня логики с режимом обогащения в корпусе SOT-23 от компании Fairchild. Этот транзистор производится с использованием запатентованной технологией DMOS высокой плотности элементов. Процесс с очень высокой плотностью специально адаптирован для минимизации сопротивления в активном состоянии для устройств с низким напряжением вроде портативных компьютеров, портативных телефонов, PCMCIA-карт и других схем с автономным питанием, где необходимы быстрое переключение и низкие потери мощности в линии маленьком корпусе поверхностного монтажа.
• Высокая плотность элемента для низкого уровня Rds(on)
• Исключительное сопротивление в активном состоянии и возможность максимального DC
• Напряжение сток-исток (Vds) 30В
• Напряжение затвор-исток ±8В
• Низкое сопротивление в открытом состоянии 365мОм при Vgs 4.5В
• Непрерывный ток стока 2.2А
• Максимальное рассеивание мощности 500мВт
• Диапазон рабочей температуры перехода от -55°C до 150°C
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.2 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.065 ом при 2.2a, 4.5в |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
Крутизна характеристики, S | 13 |
Корпус | sot23 |
Вес, г | 0.05 |