IHW20N120R3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 310 Вт
Код товара: 144073
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IHW20N120R3FKSA1
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Chip N-CH 1200V 40A 310000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
30 шт
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
40A
Макс. рассеиваемая мощность:
310W
Переключаемая энергия:
950 мкДж
Цена от:
225,32 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 5+ 10+ 20+ 60+239,89 ₽ 237,33 ₽ 234,25 ₽ 230,39 ₽ 225,32 ₽Срок:В наличииНаличие:340Минимум:2Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 5+ 10+ 20+ 60+239,89 ₽ 237,33 ₽ 234,25 ₽ 230,39 ₽ 225,32 ₽Срок:В наличииНаличие:25Минимум:1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IHW20N120R3FKSA1
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
| Технология/семейство | trench |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 40 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 60 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 310 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 387 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
| Корпус | pg-to247-3 |
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 1200 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 1200 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 40 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 310 |
| Корпус | to247 |
| Вес, г | 7.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
ihw20n120r3.pdfСпособы доставки в Калининград
Доставка IHW20N120R3FKSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 310 Вт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара