MJD32CT4G, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А, 1.56Вт

Код товара: 144028

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
MJD32CT4G
Производитель:
Описание Eng:
PNP 100V 3A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
PNP
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
100 В
Ток коллектора Макс.:
3 А
Мощность Макс.:
1.56 Вт
Коэффициент усиления hFE:
10

Технические параметры

Тип транзистора

PNP

Напряжение Колл-Эмитт. Макс

100 В

Ток коллектора Макс.

3 А

Мощность Макс.

1.56 Вт

Коэффициент усиления hFE

10

Тип монтажа

Поверхностный

Граничная частота

3 МГц

Корпус

DPAK/TO-252AA

Вес брутто

0.46 г.

Описание MJD32CT4G

Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А, 1.56Вт

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

MJD32CT4 Полный аналог Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А, 15Вт Производитель: ST Microelectronics
Наличие:
2 500 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 34,34
MJD32CQ-13 Полный аналог TRANS PNP 100V 3A TO252-3L Производитель: Diodes Incorporated
MJD32CTF Полный аналог Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor
MJD32CG Полный аналог Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А, 1.56 Вт Производитель: ON Semiconductor
Акция MJD32CRLG Полный аналог Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor

Способы доставки в Калининград

Доставка MJD32CT4G , Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А, 1.56Вт в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 706
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.