STP16N65M5, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 12А 90Вт

Код товара: 140830

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
STP16N65M5
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
50 шт
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
299 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

650В

Ток стока макс.

12A

Сопротивление открытого канала

299 мОм

Мощность макс.

90Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

45нКл

Входная емкость

1250пФ

Тип монтажа

Through Hole

Корпус

TO-220AB

Вес брутто

2.7 г.

Описание STP16N65M5

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

Структураn-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А12
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.299 ом при 6a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт90
Корпусto220ab
Вес, г2.5

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка STP16N65M5 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 12А 90Вт в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.