HGTG11N120CND, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 43 А, 298 Вт

Код товара: 140362

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
HGTG11N120CND
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
30 шт
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
43 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
298 Вт
Переключаемая энергия:
950 мкДж

Технические параметры

Макс. напр. коллектор-эмиттер

1200 В

Макс. ток коллектора

43 А

Импульсный ток коллектора макс.

80 А

Макс. рассеиваемая мощность

298 Вт

Переключаемая энергия

950 мкДж

Корпус

TO-247

Вес брутто

7.09 г.

Описание HGTG11N120CND

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 43 А, 298 Вт

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка HGTG11N120CND , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 43 А, 298 Вт в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 769
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 708
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.