FF200R12KE3HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт
Код товара: 139962
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FF200R12KE3HOSA1
Производитель:
Описание Eng:
IGBT-модуль, Trench-IGBT 3, 1200В, 200А, сдвоенный
Тип упаковки:
Paper Box
Нормоупаковка:
10 шт
Корпус:
62 mm
Цена от:
10 772,08 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 2+ 3+ 4+ 5+11 179,08 ₽ 11 105,07 ₽ 11 017,52 ₽ 10 910,33 ₽ 10 772,08 ₽Срок:В наличииНаличие:2Минимум:1Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 2+ 3+ 4+ 5+11 179,08 ₽ 11 105,07 ₽ 11 017,52 ₽ 10 910,33 ₽ 10 772,08 ₽Срок:В наличииНаличие:3Минимум:1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание FF200R12KE3HOSA1
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
FF200R12KE3.pdfСпособы доставки в Калининград
Доставка FF200R12KE3HOSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 900 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 797 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2524 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара