FD150R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 150А

Код товара: 139806

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FD150R12RT4HOSA1
Производитель:
Описание Eng:
IGBT-модуль, Trench-IGBT 4, 1200В, 150А, чоппер с диодом в цепи коллектора
Нормоупаковка:
10 шт.
Корпус:
34 mm
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
150А

Технические параметры

Напряжение коллектор-эмиттер

1200В

Ток коллектора

150А

Вес брутто

180 г.

Описание FD150R12RT4HOSA1

Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 150А

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка FD150R12RT4HOSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 150А в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 900
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 797
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2524
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.