FF200R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт
Код товара: 139802
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FF200R12KT4HOSA1
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100 W 7-Pin Tray
Тип упаковки:
Paper Box
Нормоупаковка:
10 шт
Корпус:
62 mm
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Цена от:
7 792,42 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 2+ 4+ 7+ 20+8 712,23 ₽ 8 378,22 ₽ 8 118,71 ₽ 7 945,12 ₽ 7 792,42 ₽Срок:В наличииНаличие:169Минимум:1Количество в заказ
-
1+ 2+ 4+ 7+ 20+8 712,23 ₽ 8 378,22 ₽ 8 118,71 ₽ 7 945,12 ₽ 7 792,42 ₽Срок:В наличииНаличие:1Минимум:1Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 2+ 4+ 7+ 20+8 712,23 ₽ 8 378,22 ₽ 8 118,71 ₽ 7 945,12 ₽ 7 792,42 ₽Срок:В наличииНаличие:4Минимум:1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание FF200R12KT4HOSA1
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
FF200R12KT4.pdfАналоги и возможные замены
SKM200GB12T4 Функциональный аналог
Модуль силовой IGBT N-канальный 1200В 313A 7-Pin
Наличие:
36 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 8 525,98₽
Наличие:
6 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 4 261,21₽
FF200R12KT4 Полный аналог
Драйвер IGBT полумостовой 1200В 200А 1100Вт на винт
Способы доставки в Калининград
Доставка FF200R12KT4HOSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 755 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 706 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара