FF200R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FF200R12KT4HOSA1
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100 W 7-Pin Tray
Тип упаковки:
Paper Box
Нормоупаковка:
10 шт
Корпус:
62 mm
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Показать аналоги

Технические параметры

Напряжение коллектор-эмиттер

1200В

Вес брутто

364 г.

Описание FF200R12KT4HOSA1

Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

SKM200GB12T4 Функциональный аналог Модуль силовой IGBT N-канальный 1200В 313A 7-Pin Производитель: Semikron Elektronik GmbH
Наличие:
46 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 7 417,62
Акция
HFGM200A 1200V Функциональный аналог Модуль силовой IGBT 1200В/200A Производитель: ZHEJIANG HUAJING RECTIFIER CO.,LTD
Наличие:
2 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 3 599,28
FF200R12KT4 Полный аналог Драйвер IGBT полумостовой 1200В 200А 1100Вт на винт Производитель: Infineon Technologies

Способы доставки в Калининград

Доставка FF200R12KT4HOSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт в город Калининград
Boxberry
от 15 раб. дней
от 686
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 325
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2224
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 5 раб. дней
от 747
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.