FF150R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
Код товара: 139799
Цена от:
5 803,34 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 2+ 3+ 4+ 7+8 170,22 ₽ 7 804,40 ₽ 7 534,81 ₽ 7 320,82 ₽ 7 132,58 ₽Срок:В наличииНаличие:58Минимум:1Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 2+ 3+ 4+ 7+8 170,22 ₽ 7 804,40 ₽ 7 534,81 ₽ 7 320,82 ₽ 7 132,58 ₽Срок:В наличииНаличие:3Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
10+ 30+ 110+6 064,75 ₽ 5 907,90 ₽ 5 803,34 ₽Срок:56 днейНаличие:400Минимум:Мин: 10Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание FF150R12RT4HOSA1
Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 150 А
Вес, г | 160 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка FF150R12RT4HOSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 755 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 706 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара