FF150R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

IGBT Module N-CH 1200V 150A 790 W Tray

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт

FF150R12RT4 pdf, 456,6 кБ

Код товара: 139799

Дата обновления: 03.07.2024 16:10

Цена от: 5 962,14 руб.

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка FF150R12RT4HOSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 10 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 12 раб. дней

от 833 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

34 mm
Тип упаковки

Tray (палетта)
Нормоупаковка

10 шт
Вес брутто

182.2 г.

Описание FF150R12RT4HOSA1

Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 150 А

Вес, г

160

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← FF200R12KE4PHOSA1 FF200R12KT4HOSA1 →