FF150R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
Код товара: 139799
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FF150R12RT4HOSA1
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Module N-CH 1200V 150A 790 W Tray
Тип упаковки:
Tray (палетта)
Нормоупаковка:
10 шт
Корпус:
34 mm
Цена от:
7 414,22 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 2+ 3+ 4+ 6+8 482,05 ₽ 8 105,59 ₽ 7 828,15 ₽ 7 607,93 ₽ 7 414,22 ₽Срок:В наличииНаличие:80Минимум:1Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 2+ 3+ 4+ 6+8 482,05 ₽ 8 105,59 ₽ 7 828,15 ₽ 7 607,93 ₽ 7 414,22 ₽Срок:В наличииНаличие:3Минимум:1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание FF150R12RT4HOSA1
Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 150 А
| Вес, г | 160 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
FF150R12RT4.pdfСпособы доставки в Калининград
Доставка FF150R12RT4HOSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара