FF50R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 50А

Код товара: 139732

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FF50R12RT4HOSA1
Производитель:
Описание Eng:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 285000mW 7-Pin Tray
Тип упаковки:
Bulk (россыпь)
Нормоупаковка:
10 шт.
Корпус:
34 mm
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В

Технические параметры

Напряжение коллектор-эмиттер

1200В

Вес брутто

180 г.

Описание FF50R12RT4HOSA1

Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 50А

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка FF50R12RT4HOSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 50А в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 755
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 706
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.