FF100R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

IGBT module, Trench-IGBT 4, 1200V, 100A, dual, 555W

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт

FF100R12RT4 pdf, 456,9 кБ

Код товара: 139729

Дата обновления: 03.07.2024 16:10

Цена от: 4 551,61 руб.

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка FF100R12RT4HOSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 12 раб. дней

от 833 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

AG-34MM
Тип упаковки

Paper Box
Нормоупаковка

10 шт
Вес брутто

189.5 г.

Описание FF100R12RT4HOSA1

IGBT/IGBT 1200V 100A 34MM-1
Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 100 А

Maximum Operating Temperature	+150 °C
Length	94мм
Transistor Configuration	Серия
Brand	Infineon
Maximum Collector Emitter Voltage	1200 В
Maximum Continuous Collector Current	100 А
Package Type	AG-34MM-1
Maximum Power Dissipation	555 W
Mounting Type	Монтаж на панель
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Width	34мм
Высота	30.2мм
Dimensions	94 x 34 x 30.2mm
Configuration	Серия
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Channel Type	N
Вес, г	160

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← FP10R12W1T4B11BOMA1 FF50R12RT4HOSA1 →