FF100R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт
Код товара: 139729
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FF100R12RT4HOSA1
Производитель:
Описание Eng:
IGBT module, Trench-IGBT 4, 1200V, 100A, dual, 555W
Тип упаковки:
Paper Box
Нормоупаковка:
10 шт
Корпус:
AG-34MM
Цена от:
5 209,06 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 2+ 3+ 5+ 10+5 995,11 ₽ 5 717,99 ₽ 5 513,76 ₽ 5 351,66 ₽ 5 209,06 ₽Срок:В наличииНаличие:2Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
1+ 2+ 10+13 331,80 ₽ 12 540,93 ₽ 12 314,97 ₽Срок:7 днейНаличие:30Минимум:Мин: 1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание FF100R12RT4HOSA1
IGBT/IGBT 1200V 100A 34MM-1
Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 100 А
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Length | 94мм |
| Transistor Configuration | Серия |
| Brand | Infineon |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 В |
| Maximum Continuous Collector Current | 100 А |
| Package Type | AG-34MM-1 |
| Maximum Power Dissipation | 555 W |
| Mounting Type | Монтаж на панель |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Width | 34мм |
| Высота | 30.2мм |
| Dimensions | 94 x 34 x 30.2mm |
| Configuration | Серия |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Channel Type | N |
| Вес, г | 160 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
FF100R12RT4.pdfСпособы доставки в Калининград
Доставка FF100R12RT4HOSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 900 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 797 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2524 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара