FP75R12KE3BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 A, 355Вт
Код товара: 137821
Цена от:
26 555,46 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 2+ 3+ 4+ 5+27 461,10 ₽ 27 296,34 ₽ 27 101,52 ₽ 26 863,02 ₽ 26 555,46 ₽Срок:В наличииНаличие:8Минимум:1Количество в заказ
Количество: 0 шт.
Стоимость: 0,00 ₽
Технические параметры
Описание FP75R12KE3BOSA1
IGBT Modules, Infineon
The<B> Infineon</B> range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies.
The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V. The PrimePACK IGBTs can be found in Industrial, commercial, construction and agricultural vehicles. The N-Channel TRENCHSTOP <sup>TM</sup> and Fieldstop IGBT Modules are suitable for hard switching and soft switching applications such as Inverters, UPS and Industrial drives.
Максимальная рабочая температура | +125 °C |
Длина | 122мм |
Transistor Configuration | Трехфазный |
Производитель | Infineon |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 1200 В |
Максимальный непрерывный ток коллектора | 105 A |
Тип корпуса | AG-ECONO3-3 |
Максимальное рассеяние мощности | 355 Вт |
Тип монтажа | Монтаж на панель |
Минимальная рабочая температура | -40 °C |
Ширина | 62мм |
Высота | 17мм |
Размеры | 122 x 62 x 17мм |
Конфигурация | 3-фазный мост |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
Тип канала | N |
Вес, г | 180 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка FP75R12KE3BOSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 A, 355Вт
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 288 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2503 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
Почта России
от 12 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 4 раб. дней
от 777 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара