FP75R12KE3BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 A, 355Вт
Код товара: 137821
Цена от:
35 431,09 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 2+ 3+ 4+ 5+40 232,11 ₽ 38 587,98 ₽ 37 282,95 ₽ 36 220,04 ₽ 35 431,09 ₽Срок:В наличииНаличие:8Минимум:1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание FP75R12KE3BOSA1
IGBT Modules, Infineon
The<B> Infineon</B> range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. <BR/>The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V. The PrimePACK IGBTs can be found in Industrial, commercial, construction and agricultural vehicles. The N-Channel TRENCHSTOP <sup>TM</sup> and Fieldstop IGBT Modules are suitable for hard switching and soft switching applications such as Inverters, UPS and Industrial drives.<BR/>
Максимальная рабочая температура | +125 °C |
Длина | 122мм |
Transistor Configuration | Трехфазный |
Производитель | Infineon |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 1200 В |
Максимальный непрерывный ток коллектора | 105 A |
Тип корпуса | AG-ECONO3-3 |
Максимальное рассеяние мощности | 355 Вт |
Тип монтажа | Монтаж на панель |
Минимальная рабочая температура | -40 °C |
Ширина | 62мм |
Высота | 17мм |
Размеры | 122 x 62 x 17мм |
Конфигурация | 3-фазный мост |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
Тип канала | N |
Вес, г | 180 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка FP75R12KE3BOSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 A, 355Вт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 755 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 706 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара