STP4NK80Z, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3А 3 Ом, 80Вт
Цена от:
53,89 руб.
-
1+ 7+ 13+ 25+ 50+107,88 ₽ 106,37 ₽ 104,46 ₽ 101,86 ₽ 97,91 ₽Срок:В наличииНаличие:277Минимум:3Количество в заказ
-
1+ 7+ 13+ 25+ 50+107,88 ₽ 106,37 ₽ 104,46 ₽ 101,86 ₽ 97,91 ₽Срок:В наличииНаличие:50Минимум:1Количество в заказ
-
8+196,74 ₽Срок:7 днейНаличие:10Минимум:Мин: 8Количество в заказ
-
137+ 199+ 397+64,10 ₽ 55,28 ₽ 53,89 ₽Срок:25 днейНаличие:1 750Минимум:Мин: 137Количество в заказ
Технические параметры
Описание STP4NK80Z
MOSFET, N TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Current, Id Cont 3A Resistance, Rds On 3.5ohm Case Style TO-220 (SOT-78B) Alternate Case Style SOT-78B Current, Idm Pulse 12A N-channel Gate Charge 22.5nC No. of Pins 3 Power, Pd 80W Resistance, Rds on @ Vgs = 10V 3.5ohm Temperature, Tj Max 150°C Temperature, Tj Min -55°C Voltage, Rds Measurement 10V Voltage, Vds 800V Voltage, Vds Max 800V Voltage, Vgs Rds N Channel 10V Voltage, Vgs th Min 3V dv/dt 4.5V/µs
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 3.5 Ом
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.5 ом при 1.5a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 80 |
| Крутизна характеристики, S | 2.9 |
| Корпус | to220ab |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…4.5 |
| Вес, г | 2.5 |