IRFB31N20DPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A
Код товара: 131640
Цена от:
163,05 руб.
-
1+ 4+ 7+ 14+ 28+343,30 ₽ 339,86 ₽ 335,73 ₽ 330,61 ₽ 323,91 ₽Срок:В наличииНаличие:99Минимум:1Количество в заказ
-
1+ 4+ 7+ 14+ 28+343,30 ₽ 339,86 ₽ 335,73 ₽ 330,61 ₽ 323,91 ₽Срок:В наличииНаличие:49Минимум:1Количество в заказ
-
200+ 750+ 3650+170,39 ₽ 165,98 ₽ 163,05 ₽Срок:56 днейНаличие:53 000Минимум:Мин: 200Количество в заказ
Технические параметры
Описание IRFB31N20DPBF
MOSFET, N, 200V, 31A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 200V Current, Id Cont 31A Resistance, Rds On 0.082ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 5.5V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse 124A No. of Pins 3 Power Dissipation 200W Power, Pd 200W Thermal Resistance, Junction to Case A 0.75°C/W Voltage, Vds Max 200V Voltage, Vgs th Max 5.5V
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 31 А, Сопротивление открытого канала (мин) 82 мОм
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 31 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.082 ом при 18a, 10в |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 |
Крутизна характеристики, S | 1.7 |
Корпус | to220ab |
Вес, г | 2.5 |