STGB10NC60HDT4, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 10 А, 65 Вт

Код товара: 126874

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
STGB10NC60HDT4
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Chip N-CH 600V 20A 65000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
1000 шт
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
30 А
Макс. рассеиваемая мощность:
65 Вт
Переключаемая энергия:
31.8 мкДж

Технические параметры

Макс. напр. коллектор-эмиттер

600 В

Макс. ток коллектора

20 А

Импульсный ток коллектора макс.

30 А

Макс. рассеиваемая мощность

65 Вт

Переключаемая энергия

31.8 мкДж

Корпус

D2Pak (TO-263)

Вес брутто

1.94 г.

Описание STGB10NC60HDT4

IGBT Discretes, STMicroelectronics

Технология/семействоpowermesh
Наличие встроенного диодада
Максимальное напряжение КЭ ,В600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A20
Импульсный ток коллектора (Icm), А30
Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт65
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс14.2
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс72
Рабочая температура (Tj), °C-55…+150
Корпусd2-pak
Вес, г2.5

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка STGB10NC60HDT4 , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 10 А, 65 Вт в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.