FQP19N20C, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 19А 139Вт
Код товара: 125189
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FQP19N20C
Производитель:
Описание Eng:
Field-effect transistor, N-channel, 200 V, 19 A, 139 W
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
50 шт
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
170 мОм
Мощность макс.:
139Вт
Тип транзистора:
N-канал
Цена от:
107,35 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание FQP19N20C
QFET® N-Channel MOSFET, 11A to 30A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor's new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 19 А |
| Тип корпуса | TO-220AB |
| Максимальное рассеяние мощности | 139 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 4.7мм |
| Высота | 9.4мм |
| Размеры | 10.1 x 4.7 x 9.4мм |
| Материал транзистора | SI |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 10.1мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 15 нс |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Типичное время задержки выключения | 135 ns |
| Серия | QFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 170 mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 200 V |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 40,5 нКл при 10 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 830 pF @ 25 V |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 V, +30 V |
| Вес, г | 2.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
FQP19N20C.pdfСпособы доставки в Калининград
Доставка FQP19N20C , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 19А 139Вт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара