FQP19N20C, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 19А 139Вт

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

Field-effect transistor, N-channel, 200 V, 19 A, 139 W

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 19А 139Вт

FQP19N20C pdf, 0,8 мБ

Код товара: 125189

Дата обновления: 30.06.2024 16:10

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка FQP19N20C , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 19А 139Вт в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 12 раб. дней

от 833 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

TO-220
Тип упаковки

Tube (туба)
Нормоупаковка

50 шт
Вес брутто

2.93 г.
Напряжение исток-сток макс.

200В
Ток стока макс.

19A
Сопротивление открытого канала

170 мОм
Мощность макс.

139Вт
Тип транзистора

N-канал
Пороговое напряжение включения макс.

4В
Заряд затвора

53нКл
Входная емкость

1080пФ
Тип монтажа

Through Hole

Описание FQP19N20C

QFET® N-Channel MOSFET, 11A to 30A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor's new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока	19 А
Тип корпуса	TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности	139 Вт
Тип монтажа	Монтаж на плату в отверстия
Ширина	4.7мм
Высота	9.4мм
Размеры	10.1 x 4.7 x 9.4мм
Материал транзистора	SI
Количество элементов на ИС	1
Длина	10.1мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	15 нс
Производитель	ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения	135 ns
Серия	QFET
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Максимальное сопротивление сток-исток	170 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток	200 V
Число контактов	3
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	40,5 нКл при 10 В
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	830 pF @ 25 V
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-30 V, +30 V
Вес, г	2.5

Хотите получить образцы?

Заказать образец

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← FQP20N06L IRFZ44VPBF →