FGH60N60SMD, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 600W
Код товара: 123444
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FGH60N60SMD
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
30 шт
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
120 А
Импульсный ток коллектора макс.:
180 А
Макс. рассеиваемая мощность:
600 Вт
Переключаемая энергия:
1.26 мДж
Цена от:
232,30 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание FGH60N60SMD
Характеристики
| Структура | n-канал+диод |
|---|---|
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 60 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.9 |
| Управляющее напряжение,В | 4.5 |
| Мощность макс.,Вт | 600 |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Температурный диапазон,С | -55…+175 |
| Дополнительные опции | встроенный быстродействующий диод |
| Корпус | to-247 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
FGH60N60SMD.pdfСпособы доставки в Калининград
Доставка FGH60N60SMD , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 600W
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара