FGH60N60SMD, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 600W
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 600W
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 600W
Артикул:
FGH60N60SMD
Производитель:
Документы:
Описание FGH60N60SMD
Характеристики
| Структура | n-канал+диод |
|---|---|
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 60 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.9 |
| Управляющее напряжение,В | 4.5 |
| Мощность макс.,Вт | 600 |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Температурный диапазон,С | -55…+175 |
| Дополнительные опции | встроенный быстродействующий диод |
| Корпус | to-247 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара