FGH60N60SMD, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 600W

Код товара: 123444

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FGH60N60SMD
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
30 шт
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
120 А
Импульсный ток коллектора макс.:
180 А
Макс. рассеиваемая мощность:
600 Вт
Переключаемая энергия:
1.26 мДж

Технические параметры

Макс. напр. коллектор-эмиттер

600 В

Макс. ток коллектора

120 А

Импульсный ток коллектора макс.

180 А

Макс. рассеиваемая мощность

600 Вт

Переключаемая энергия

1.26 мДж

Корпус

TO-247

Вес брутто

6.7 г.

Описание FGH60N60SMD

Характеристики

Структураn-канал+диод
Максимальное напряжение кэ ,В600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В1.9
Управляющее напряжение,В4.5
Мощность макс.,Вт600
Крутизна характеристики, S-
Температурный диапазон,С-55…+175
Дополнительные опциивстроенный быстродействующий диод
Корпусto-247

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка FGH60N60SMD , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 600W в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 769
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 708
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.