HGTG12N60A4D, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт

Код товара: 122564

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
HGTG12N60A4D
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
30 шт
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
54 А
Импульсный ток коллектора макс.:
96 А
Макс. рассеиваемая мощность:
167 Вт
Переключаемая энергия:
55 мкДж

Технические параметры

Макс. напр. коллектор-эмиттер

600 В

Макс. ток коллектора

54 А

Импульсный ток коллектора макс.

96 А

Макс. рассеиваемая мощность

167 Вт

Переключаемая энергия

55 мкДж

Корпус

TO-247

Вес брутто

6.8 г.

Описание HGTG12N60A4D

Характеристики

Структура-
Максимальное напряжение кэ ,В-
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A-
Напряжение насыщения при номинальном токе, В-
Управляющее напряжение,В-
Мощность макс.,Вт-
Крутизна характеристики, S-
Температурный диапазон,С-
Дополнительные опции-
Корпус-

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка HGTG12N60A4D , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 769
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 708
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.