IRF3808PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 140А 340Вт
Код товара: 113247
Цена от:
129,92 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 13+ 26+ 50+ 150+166,23 ₽ 153,80 ₽ 143,93 ₽ 135,90 ₽ 129,92 ₽Срок:В наличииНаличие:570Минимум:2Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 13+ 26+ 50+ 150+166,23 ₽ 153,80 ₽ 143,93 ₽ 135,90 ₽ 129,92 ₽Срок:В наличииНаличие:75Минимум:1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IRF3808PBF
N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 75 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 140 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.007 ом при 82a, 10в |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 340 |
Крутизна характеристики, S | 100 |
Корпус | to220ab |
Пороговое напряжение на затворе | 2…4 |
Вес, г | 2.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка IRF3808PBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 140А 340Вт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 900 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 797 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2524 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара