IRF3808PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 140А 340Вт

Код товара: 113247

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IRF3808PBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 75V 140A TO-220AB, 340W
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
50 шт
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
140A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
330Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

75В

Ток стока макс.

140A

Сопротивление открытого канала

7 мОм

Мощность макс.

330Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

220нКл

Входная емкость

5310пФ

Тип монтажа

Through Hole

Корпус

TO-220AB

Вес брутто

2.8 г.

Описание IRF3808PBF

N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Структураn-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А140
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.007 ом при 82a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт340
Крутизна характеристики, S100
Корпусto220ab
Пороговое напряжение на затворе2…4
Вес, г2.5

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка IRF3808PBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 140А 340Вт в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.