IRGP50B60PD1PBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 390 Вт
Код товара: 112442
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
1 498,04 руб.
-
1+ 8+ 15+ 25+ 75+1 714,10 ₽ 1 635,64 ₽ 1 574,69 ₽ 1 533,91 ₽ 1 498,04 ₽Срок:В наличииНаличие:340Минимум:1Количество в заказ
-
1+ 8+ 15+ 25+ 75+1 714,10 ₽ 1 635,64 ₽ 1 574,69 ₽ 1 533,91 ₽ 1 498,04 ₽Срок:В наличииНаличие:25Минимум:1Количество в заказ
Технические параметры
Описание IRGP50B60PD1PBF
Транзистор IRGP50B60PD – 600-вольтовый NPT IGBT со встроенным антипараллельным 25-амперным HEXFRED® диодом. Транзистор входит в семейство WARP2™ транзисторов, предназначенных для работы на частотах до 150 кГц в импульсных источниках питания с выходной мощностью 1-12 кВт. Встроенный диод обеспечивает возможность работы с гораздо более высокими токами обратного восстановления.
Типовыми приложениями для IGBT-транзистора являются мощные корректоры коэффициента мощности, источники бесперебойного питания с мостовой схемой первичной цепи, промышленные импульсные источники питания и инверторные сварочные аппараты. Для реализации мощных AC-DC преобразователей с высокой плотностью энергии, применяемых в серверах и источниках питания телекоммуникационного оборудования, требуются высокоэффективные и надежные силовые ключевые приборы. WARP2 IGBT наиболее полно отвечают этим требованиям благодаря низким потерям при выключении и очень короткому времени спада при выключении (так называемый «хвост»), что обеспечивает более высокую эффективность в сравнении с конкурентными приборами.
Благодаря втрое меньшей толщине кристалла и более чем вдвое более высокой удельной плотности тока WARP2 IGBT обеспечивают гораздо более высокий ток и лучшие тепловые характеристики при равной с мощными полевыми транзисторами площади кристалла. При этом они, как и мощные МОП-транзисторы, обладают одной из важных положительных особенностей - самовыравниванию токов в транзисторах при параллельном соединении благодаря положительному тепловому коэффициенту сопротивления канала. 600-вольтовый транзистор в корпусе ТО-247 нормирован на токи коллектора 75 и 45 А соответственно (при 25 и 100°C) и токи диода 65 и 25 А (при тех же температурах). Падение на открытом транзисторе не превышает 2 В при токе коллектора 33 А. IGBT транзистор является отличной альтернативой 50-60 А МОП-транзисторам по критерию качество/цена.
Характеристики
| Структура | n-канал+диод |
|---|---|
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 75 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.6 |
| Управляющее напряжение,В | 5.5 |
| Мощность макс.,Вт | 390 |
| Крутизна характеристики, S | 41 |
| Температурный диапазон,С | -55…150 |
| Дополнительные опции | - |
| Корпус | to-247ac |
Infineon-IRGP50B60PD1_v01_00-EN.pdf