C2M1000170J
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание C2M1000170J
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.
| Brand | Wolfspeed |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 5,3 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 1700 В |
| Тип корпуса | D2PAK (TO-263) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 7 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 1,4 Ω |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 4V |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 2V |
| Максимальное рассеяние мощности | 78 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -10 В, +25 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Прямое напряжение диода | 3.8V |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 10.23мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 13 нКл при 20 В |
| Высота | 4.57мм |
| Ширина | 10.99мм |
| Материал транзистора | SiC |
| Страна происхождения | CN |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара