IRFS7530PBF
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IRFS7530PBF
N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
| Brand | Infineon |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 295 А |
| Максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
| Тип корпуса | D2PAK (TO-263) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 2,1 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное рассеяние мощности | 375 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Материал транзистора | Кремний |
| Длина | 10.54мм |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Серия | HEXFET |
| Высота | 9.65мм |
| Ширина | 4.69мм |
| Прямое напряжение диода | 1.2V |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 274 нКл при 10 В |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара