IRFB4410ZGPBF
Код товара: 10860396
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IRFB4410ZGPBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CHANNEL HEXFET 100V 97A TO220AB
Цена от:
238,95 руб.
Нет в наличии
Описание IRFB4410ZGPBF
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
| Brand | Infineon |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 97 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| Тип корпуса | TO-220 |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 9 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное рассеяние мощности | 230 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Прямое напряжение диода | 1.3V |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Материал транзистора | Кремний |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Длина | 10.67мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 19 нКл при 50 В |
| Высота | 16.51мм |
| Ширина | 4.83мм |
Способы доставки в Калининград
Доставка IRFB4410ZGPBF
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 794 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 288 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2155 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 747 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара