IRFB4410ZGPBF
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
MOSFET N-CHANNEL HEXFET 100V 97A TO220AB
Артикул:
IRFB4410ZGPBF
Производитель:
Описание IRFB4410ZGPBF
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
| Brand | Infineon |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 97 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| Тип корпуса | TO-220 |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 9 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное рассеяние мощности | 230 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Прямое напряжение диода | 1.3V |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Материал транзистора | Кремний |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Длина | 10.67мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 19 нКл при 50 В |
| Высота | 16.51мм |
| Ширина | 4.83мм |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара