IRFSL7430PBF
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IRFSL7430PBF
N-Channel Power MOSFET 40V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
| Brand | Infineon |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 426 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 40 В |
| Тип корпуса | I2PAK (TO-262) |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 1,2 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное рассеяние мощности | 375 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Прямое напряжение диода | 1.3V |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Длина | 10.67мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 300 нКл при 10 В |
| Высота | 9.65мм |
| Ширина | 4.83мм |
| Материал транзистора | Кремний |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара