IPD053N06N
Описание IPD053N06N
Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs
Brand | Infineon |
---|---|
Тип канала | N |
Максимальный непрерывный ток стока | 45 A |
Максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
Тип корпуса | DPAK (TO-252) |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Число контактов | 3 |
Максимальное сопротивление сток-исток | 8 мΩ |
Номер канала | Поднятие |
Максимальное рассеяние мощности | 83 Вт |
Конфигурация транзистора | Одинарный |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Количество элементов на ИС | 1 |
Серия | OptiMOS 5 |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Прямое напряжение диода | 1.2V |
Максимальная рабочая температура | +175 °C |
Длина | 6.73мм |
Типичный заряд затвора при Vgs | 27 нКл при 10 В |
Высота | 2.41мм |
Ширина | 6.22мм |
Материал транзистора | Кремний |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара