BSC196N10NSG
Код товара: 10860382
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
BSC196N10NSG
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH100V 8.5A OPTIMOS TDSON8
Цена от:
92,89 руб.
Нет в наличии
Описание BSC196N10NSG
Infineon OptiMOS™2 Power MOSFET Family Infineon’s OptiMOS™2 N-Channel family offers the industry's lowest on-state resistance inside their voltage group. The Power MOSFET series can be used in many applications including high frequency Telecom, Datacom, solar, low voltage drives and Server Power Supplies. The OptiMOS 2 product family ranges from 20V and over and offers a selection of different package types.
| Brand | Infineon |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 45 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| Тип корпуса | TDSON |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 8 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 16,7 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное рассеяние мощности | 78 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Серия | OptiMOS 2 |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Прямое напряжение диода | 1.3V |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 6.1мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 25 нКл при 10 В |
| Высота | 1.1мм |
| Ширина | 5.35мм |
| Материал транзистора | Кремний |
Способы доставки в Калининград
Доставка BSC196N10NSG
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 799 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 288 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2155 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 747 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара