BSC196N10NSG
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание BSC196N10NSG
Infineon OptiMOS™2 Power MOSFET Family Infineon’s OptiMOS™2 N-Channel family offers the industry's lowest on-state resistance inside their voltage group. The Power MOSFET series can be used in many applications including high frequency Telecom, Datacom, solar, low voltage drives and Server Power Supplies. The OptiMOS 2 product family ranges from 20V and over and offers a selection of different package types.
| Brand | Infineon |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 45 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| Тип корпуса | TDSON |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 8 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 16,7 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное рассеяние мощности | 78 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Серия | OptiMOS 2 |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Прямое напряжение диода | 1.3V |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 6.1мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 25 нКл при 10 В |
| Высота | 1.1мм |
| Ширина | 5.35мм |
| Материал транзистора | Кремний |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара