BSC046N10NS3G
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
MOSFET N-CHANNEL 100V 17A OPTIMOS TDSON8
Артикул:
BSC046N10NS3G
Производитель:
Описание BSC046N10NS3G
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
| Brand | Infineon |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 100 А |
| Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| Тип корпуса | TDSON |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 8 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 8,6 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное рассеяние мощности | 156 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Ширина | 5.35мм |
| Прямое напряжение диода | 1.2V |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 63 нКл при 10 В |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Материал транзистора | Кремний |
| Длина | 6.1мм |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Серия | OptiMOS 3 |
| Высота | 1.1мм |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара