IPB065N15N3G
Код товара: 10860379
Цена от:
1 421,82 руб.
Нет в наличии
Описание IPB065N15N3G
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
Brand | Infineon |
---|---|
Тип канала | N |
Максимальный непрерывный ток стока | 130 A |
Максимальное напряжение сток-исток | 150 В |
Тип корпуса | D2PAK (TO-263) |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Число контактов | 7 |
Максимальное сопротивление сток-исток | 6,8 мΩ |
Номер канала | Поднятие |
Максимальное рассеяние мощности | 300 Вт |
Конфигурация транзистора | Одинарный |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Количество элементов на ИС | 1 |
Типичный заряд затвора при Vgs | 70 нКл при 10 В |
Высота | 9.45мм |
Ширина | 4.57мм |
Материал транзистора | Кремний |
Серия | OptiMOS 3 |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Прямое напряжение диода | 1.2V |
Максимальная рабочая температура | +175 °C |
Длина | 10.31мм |
Способы доставки в Калининград
Доставка IPB065N15N3G
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара