IPB065N15N3G
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IPB065N15N3G
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
| Brand | Infineon |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 130 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 150 В |
| Тип корпуса | D2PAK (TO-263) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 7 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 6,8 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное рассеяние мощности | 300 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 70 нКл при 10 В |
| Высота | 9.45мм |
| Ширина | 4.57мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Серия | OptiMOS 3 |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Прямое напряжение диода | 1.2V |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Длина | 10.31мм |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара