SIHB28N60EF-GE3
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SIHB28N60EF-GE3
N-Channel MOSFET with Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor
| Brand | Vishay |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 28 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 600 В |
| Тип корпуса | D2PAK (TO-263) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 123 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 2V |
| Максимальное рассеяние мощности | 250 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 В, +30 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Серия | EF Series |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Прямое напряжение диода | 1.2V |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 10.67мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 80 нКл при 10 В |
| Высота | 4.83мм |
| Ширина | 9.65мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Страна происхождения | CN |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара